NSL OpenIR  > 中国科学院成都文献情报中心  > 情报研究部
基于专利文献的技术生命周期分析方法研究
高利丹
2011-06-10
Keyword技术生命周期 专利 指标 最近邻分类器 纳米生物传感器
Subject Area情报研究 ; 情报研究理论与方法
Abstract现有技术生命周期评估方法主要利用专利申请数量随时间变化制作S曲线,通过观察S曲线的变化来得出技术的生命周期阶段情况。除专利申请数量外,其他指标如专利权人的数量等也能反应技术生命周期的变化情况,因此只利用单个或两个指标制作S曲线或反向S曲线不能充分反应技术的发展态势。虽然近年有少量研究开始探索采用多指标研究技术的生命周期,但成效不显著,且这类研究也只是把每个指标单独用于描绘其数量随时间的变化。 本文提出一种基于专利文献的多指标技术生命周期计算方法。该方法包括如下主要步骤:(1)挑选可量化的基于专利文献的指标;(2)选择参考技术(训练样本),并通过专家咨询或文献调研方式获得参考技术的生命周期阶段情况,提取各阶段指标值;(3)采用最近邻分类器比较计算参考技术中的指标特征值与测试技术(测试样本)指标的值,在训练样本的训练点中寻找与测试样本的测试点具有最近距离的特征值,而该训练点的特征即代表测试点的特征,从而根据该训练点所在的技术生命周期信息得出测试点的技术生命周期信息。 本研究采用了13个基于专利文献的可量化指标;选择薄膜晶体管液晶显示技术(TFT-LCD)与阴极射线管显示技术(CRT)作为参考技术,纳米生物传感器(NBS)作为测试技术,计算NBS的技术生命周期情况。计算结果显示,NBS的生命周期情况为:萌芽期:1985–1996,成长期:1997年以后。计算结果送专家检验,专家意见与计算结果一致。当前纳米生物传感器仍处于成长期,还有很多关键问题待解决。
Document Type研究报告
Identifierhttp://ir.las.ac.cn/handle/12502/3822
Collection中国科学院成都文献情报中心_情报研究部
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GB/T 7714
高利丹. 基于专利文献的技术生命周期分析方法研究. 2011.
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