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第三代半导体材料发展态势分析
王丽; 沈湘; 于杰平; 金瑛; 滕飞; 李宜展
Subtype
2020
Publisher电子工业出版社
Publication Place北京
Abstract

按照国家科技图书文献中心为国家“十三五”规划中的国家重点研发计划开展科技信息支撑和保障服务的战略部署,结合“战略性先进电子材料”重点专项及中国科学院文献情报中心情报分析与服务特色和优势,本书遴选了第三代半导体材料领域作为研究对象。本书调研了主要科技发达国家制定的第三代半导体材料相关科技政策;对以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表的关键材料领域开展研发技术专利、相关行业产业化应用及市场调研和分析;嵌入机器学习方法,突破传统情报研究与服务范式,重点对碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)进行了热点研究方向判断和分析,以期为我国第三代半导体材料及相关技术发展提供参考,为突破后摩尔极限、集成电路“卡脖子”技术提供一个发现问题、解决问题的视角。
本书可为半导体相关领域的科技战略研究专家、相关管理者及科研一线工作者提供参考。

Keyword第三代半导体 碳化硅 氮化镓
Language中文
Document Type专著
Identifierhttp://ir.las.ac.cn/handle/12502/11551
Collection中国科学院文献情报中心(北京)_情报研究部
Affiliation中国科学院文献情报中心
Recommended Citation
GB/T 7714
王丽,沈湘,于杰平,等. 第三代半导体材料发展态势分析[M]. 北京:电子工业出版社,2020.
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